高功率微波下GaAs PIN限幅器的损伤机理分析

GaAsPIN限幅器是置于通信接收前端抗电磁扰动的重要部件。本文对经受高功率微波后GaAsPIN限幅器损伤形貌的观察,结合其损伤机理分析,揭示了PIN二极管易于损伤的位置以及造成界面损伤的机理,对于GaAsPIN限幅器设计和工艺改进具有一定的指导意义。     

SiN钝化层对GaN HEMT辐射效应的影响

GaN HEMT具有的大功率、高频率特性使其在空间应用中具有广阔的前景,GaN HEMT的空间辐射效应也引起了人们的广泛关注。然而GaN HEMT器件并没有完全体现出其材料优越的抗辐射能力,研究认为器件结构和制造工艺是导致器件和材料间抗辐射能力差距的主要原因之一。半导体制造工艺中通常采用钝化层进行隔离、保护以及调整反射率等来近一步提升器件性能,本文分析了钝化层对二维电子气(2DEG)和AlGaN/GaN异质结表面势垒高度的影响,讨论了不同钝化层结构GaN HEMT的辐射响应及退化机理,认为钝化层可有效改善GaN HEMT的抗辐射能力。     

LED常见失效模式与失效机理

发光二极管(Light Emitting Diodes,LEDs)由于具有长寿命、高能量转换效率、环境友好的特点而成为当今最受欢迎的照明解决方案之一,广泛应于显示屏、通讯、医疗器件以及普通照明产业。LED结构类似于半导体器件,但是由于其在性能、材料以及界面间的差异,又使得其具有特殊的失效模式和失效机理。本文针对LED常见失效机理和机理进行了讨论和分析,对应用可靠性给出了相关建议。     

GaN HEMT逆压电效应及退化机理研究

GaN HEMT器件在高压、高频、大功率应用领域中具有广泛的应用前景,但逆压电效应是其高可靠应用中面临和亟待解决的重要问题。本文系统梳理了国内外的文献报道,研究了GaN HEMT存在的逆压电效应,分析了逆压电效应导致的器件性能退化机理,定位了逆压电效应引起器件的结构损伤位置,最后给出了抑制逆压电效应的方法,以期提高GaN HEMT的可靠性。     

多层陶瓷电容器应用与可靠性研究

多层陶瓷电容器(MLCC)在使用过程中电参数会发生不同程度的退化甚至超差失效,降低了其可靠性。引起失效的原因可分为损耗性失效、过应力失效、内部缺陷失效以及外部缺陷失效四类。基于日常失效分析工作中遇到的多层陶瓷电容器失效问题,结合国内外文献调研资料,首先对多层陶瓷电容器制造工艺进行了分析,然后对烧结裂纹、分层及空洞三种内在缺陷以及使用过程中外部应力引起的装配裂纹、热应力裂纹、弯曲裂纹、银迁移等失效模式及其相应的微观失效机理展开了深入讨论,最后对上述失效提出了相应建议和预防措施。