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1.
基于Malmquist指数与收敛性分析对淮海经济区城市用地全要素生产率(TFP)进行综合评价,在此基础上构建Tobit模型研究城市用地TFP及分解效率影响因素。结果显示:(1)2006~2015年城市用地TFP均值在[0.933,1.107]之间波动,年均增长1.9%,技术进步和技术效率均有贡献,但技术进步贡献大,是主要驱动力。(2)城市用地TFP存在σ收敛与绝对β收敛,不存在条件β收敛。提升土地市场化水平能够促进城市用地TFP趋向自身稳态水平,而城市用地空间结构对此具有抑制作用;(3)各因素对城市用地TFP及分解效率影响不同。人口密度对技术效率具有促进作用,城市空间结构对技术效率与技术进步具有抑制作用;外商投资对技术进步与全要素生产率具有抑制作用,而土地市场化水平对其具有促进作用。研究指出促进技术创新与进步,提高土地市场化水平及改善人地关系,规避外商投资风险与优化城市用地空间结构能提升城市用地全要素生产率。 相似文献
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中国集成电路制造行业VOCs排放特征及控制对策 总被引:2,自引:0,他引:2
中国电子信息产业发展迅速,集成电路等电子器件产量不断增加.在集成电路制造的过程中,大量有机溶剂的使用导致VOCs的产生和排放,从而对大气环境造成影响.为掌握集成电路制造行业VOCs的排放特征,系统分析了其工艺流程和产排污环节,分析了行业废气收集和治理现状,通过对典型企业VOCs的排放监测,获得VOCs排放水平;采用排放因子法核算行业VOCs历史排放量,并基于行业排放特征及减排潜力分析,提出了相应的污染防治对策.结果表明:在集成电路制造中,VOCs排放环节主要集中在光刻、清洗、去胶等过程,1 m2集成电路产量约使用87 g有机溶剂,VOCs产生量较大;通过采取高效的VOCs治理技术,集成电路制造行业有组织排放水平较低,平均浓度为2.1 mg·m-3,但厂界无组织排放浓度相对较高,平均浓度为0.78 mg·m-3,接近国家标准的排放限值.根据排放量核算结果,2011—2016年中国集成电路制造行业VOCs排放量呈逐年上升的趋势,主要受产量增加而相应污染控制技术水平提升有限的影响,无组织排放量比重大,占排放总量的38.1%~45.1%. 相似文献
5.
以南京江北新区分流制雨水管道沉积物为研究对象,考察不同粒径沉积物中铵态氮(NH3-N)和硝态氮(NO3--N)干期分布特征,分析其随干期长度的变化关系,并探讨沉积物理化性质及微生物菌群结构对NH3-N和NO3--N干期分布的影响.结果表明:粒径≤0.075mm的沉积物中NH3-N占比最高(交通区30.8%,商业区36.7%);交通区粒径≤0.075mm的沉积物中NO3--N占比最高(33.0%),而商业区粒径0.075~0.15mm沉积物中NO3--N占比最高(34.4%);干期长度与交通区0.075~0.15mm粒径段的沉积物中NO3--N含量及商业区粒径≥0.3mm的沉积物中NH3-N含量之间的相关性均最显著;雨水管道沉积物中NH3-N和NO3--N的干期分布与O-H和N-H等官能团、表面极性和亲水性、微观形貌等有一定关联;交通区雨水管道沉积物中Gemmobacter等反硝化优势菌种(相对丰度总和为20.15%)对NO3--N干期分布影响更显著. 相似文献
6.
目的建立高温条件下结构的高速碰撞试验技术。方法基于理论和试验方法,研究影响试样加热/保温、碰靶速度和姿态的关键因素,利用次口径发射技术和电炉技术实现试样的加热、保温和加速。采用间接方法测试试样碰靶时的温度,联合应用次口径发射技术和靶体,控制试样的碰靶姿态,并利用高速摄影技术对其进行测试。通过薄壁圆柱筒的高温高速碰靶验证高温试验技术的有效性。结果建立了加热、加速和姿态控制一体化的高温高速碰撞试验技术,获得了不同尺寸薄壁圆柱筒不同姿态碰靶时的高温冲击动力学响应。正碰时,撞击端镦粗,尾端收缩,尾端的凹陷大于碰撞端的变形;侧碰时,圆筒呈马鞍状;角碰时的变形为楔形。随着圆筒的强度和刚度的降低,圆筒的变形增加,整体发生坍塌,出现大量的皱褶。结论建立的试验技术切实有效,可以用于高温条件下结构高速碰撞效应的研究。 相似文献
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用硫酸锰、硫酸银混合作催化剂快速测定化学耗氧量 总被引:1,自引:0,他引:1
本文以硫酸锰、硫酸银混合作催化剂,在较高的酸性介质中消化,用已知COD标准试样,优选出了该体系的最佳回流、消化条件,使回流时间缩短到45min,硫酸银用量由每个水样0.15g,降低到0.05g。 实验部分 一、仪器、设备:1.4×600W可调电热炉;2.标准磨口500ml三角烧瓶,全玻回流装置。 二、试剂:1.硫酸—硫酸锰—硫酸银混合溶液:称取2g硫酸根、3g硫酸锰,溶于1000ml浓硫酸中,充分混匀,置于棕色玻璃瓶中保存。2.其他试剂均同统一法。 相似文献
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