SiN钝化层对GaN HEMT辐射效应的影响

GaN HEMT具有的大功率、高频率特性使其在空间应用中具有广阔的前景,GaN HEMT的空间辐射效应也引起了人们的广泛关注。然而GaN HEMT器件并没有完全体现出其材料优越的抗辐射能力,研究认为器件结构和制造工艺是导致器件和材料间抗辐射能力差距的主要原因之一。半导体制造工艺中通常采用钝化层进行隔离、保护以及调整反射率等来近一步提升器件性能,本文分析了钝化层对二维电子气(2DEG)和AlGaN/GaN异质结表面势垒高度的影响,讨论了不同钝化层结构GaN HEMT的辐射响应及退化机理,认为钝化层可有效改善GaN HEMT的抗辐射能力。     

GaN HEMT逆压电效应及退化机理研究

GaN HEMT器件在高压、高频、大功率应用领域中具有广泛的应用前景,但逆压电效应是其高可靠应用中面临和亟待解决的重要问题。本文系统梳理了国内外的文献报道,研究了GaN HEMT存在的逆压电效应,分析了逆压电效应导致的器件性能退化机理,定位了逆压电效应引起器件的结构损伤位置,最后给出了抑制逆压电效应的方法,以期提高GaN HEMT的可靠性。     

GaAs微波小功率晶体管加速退化试验数据分析

本文以GaAs微波小功率晶体管为研究对象,分别开展不同温度应力的直流稳态、射频动态加速退化试验。通过分析不同温度应力下同种类型加速退化试验结果,揭示GaAs微波小功率晶体管的退化失效时间与开尔文温度的倒数呈指数变化规律;通过比对相同温度应力下直流稳态、射频动态加速退化试验,发现同温度应力下,直流稳态较射频动态工作造成的GaAs微波小功率晶体管饱和漏电流的变化更为剧烈。     

基于虚拟仪器的微波射频器件自动测试平台的设计与实现

对于复杂微波射频器件的电性能通常需要对散射参数（S参数）、功率参数、噪声参数等多个方面进行测试,由于测试参数多样、测试条件复杂,使得传统的手动测试效率低下,难以满足现代化的测试需求。因此提高测试效率,构建自动化的测试平台已成为必需。本文使用矢量网络分析仪、程控电源、MCU控制器、射频切换开关等组建硬件平台,基于虚拟仪器集成开发环境,通过TCP/IP接口建立了硬件平台与PC机间的通信,并在PC机上开发了LabVIEW微波射频器件测试程序。该程序可以控制被测器件状态、切换射频测试通道、读取测试数据并导出存储等,最终实现了“一键测试”的自动测试效果。     

科研院所员工帮助计划(EAP)的探索与研究

<正>员工帮助计划(Employee Assistance Program,EAP)是企业用于管理和解决员工个人问题,降低企业人工成本,提高生产效率,提高个人生活质量,保持社会安宁等提高员工与企业绩效的有效机制。目前世界500强中,有90%以上建立了EAP。美国有将近四分之一企业的员工享受EAP服务。EAP服务通过帮助员工缓解工作压力、改善工作情绪、提高工作积极性、增强员工自信心、有效处理同事/客户关系、迅速适应新的环境、克服     

基于AFR夹具去嵌研究

射频低噪放的封装工艺向表贴、小型化持续发展,测试此类低噪放必然需要连接微带测试夹具。连接此类测试夹具进行测试令测试模型更加复杂,对测试和建模的精度都提出了更高的要求。因此对射频低噪放进行精确测试得到其散射参量(S参数),并准确建立测试模型是提高电路设计成功率和保证产品可靠性的重要环节。常规SOLT校准方法局限于同轴连接方式,无法校准夹具的微带部分，对于含微带线的夹具校准效果较差。本文利用自动夹具移除(AFR)算法,通过计算多项误差模型得出夹具的S参数，将夹具S参数导入矢量网络分析仪对测试夹具引入的误差进行修正，极大优化了测试结果。