重离子辐照1200V碳化硅二极管漏电退化的缺陷分析

目的研究1200 V碳化硅二极管重离子辐照诱生缺陷对漏电流退化的影响。方法以SiC结势垒肖特基二极管(Junction Barrier Schottky Diode,JBSD)为样品,采用能量为208 MeV,LET=37.3 MeV·cm^2/mg的锗离子进行辐照试验,利用半导体器件分析仪对重离子辐照前后1200 V SiC二极管的电学特性进行测试,利用深能级瞬态谱仪(Deep Level Transient Spectrum,DLTS)进行缺陷分析。结果辐照后,二极管的正向IV特性和CV特性未发生明显变化,反向IV特性退化。DLTS测试结果显示,E0.4能级和Z1/Z2能级基本未发生变化,EH能级有展宽的现象。测试电压VM=-8 V,填充脉冲电压VF=-1 V条件下测得的EH能级浓度比VF=-4 V条件下测得的高。结论分析认为,EH能级的缺陷复杂,推测是两个或多个缺陷能级的叠加(EH4、EH5、EH6、EH7等),此处缺陷的复杂程度与漏电流的退化成正相关,且这些缺陷的所在位置接近SiC外延层的表面。     

宇航用硅基高压快恢复整流二极管单粒子烧毁效应研究

目的针对宇航用硅基高压快恢复整流二极管开展单粒子效应研究。方法针对型号常用的各种工艺结构高压快恢复整流二极管系统,研究地面单粒子效应试验方法,包括粒子选择及注量率、单粒子效应检测系统、基于等效制样的单粒子效应试验样品匹配、试验流程,并选取三款典型器件进行单粒子评估试验,根据试验结果对硅基二极管单粒子烧毁失效的机理进行初步分析。结果得出了三款典型器件在各偏置电压下抗单粒子烧毁的LET阈值。结论形成了较为系统的高压二极管单粒子评估的试验方法,并可工程化应用。