重离子辐照1200V碳化硅二极管漏电退化的缺陷分析

目的研究1200 V碳化硅二极管重离子辐照诱生缺陷对漏电流退化的影响。方法以SiC结势垒肖特基二极管(Junction Barrier Schottky Diode,JBSD)为样品,采用能量为208 MeV,LET=37.3 MeV·cm^2/mg的锗离子进行辐照试验,利用半导体器件分析仪对重离子辐照前后1200 V SiC二极管的电学特性进行测试,利用深能级瞬态谱仪(Deep Level Transient Spectrum,DLTS)进行缺陷分析。结果辐照后,二极管的正向IV特性和CV特性未发生明显变化,反向IV特性退化。DLTS测试结果显示,E0.4能级和Z1/Z2能级基本未发生变化,EH能级有展宽的现象。测试电压VM=-8 V,填充脉冲电压VF=-1 V条件下测得的EH能级浓度比VF=-4 V条件下测得的高。结论分析认为,EH能级的缺陷复杂,推测是两个或多个缺陷能级的叠加(EH4、EH5、EH6、EH7等),此处缺陷的复杂程度与漏电流的退化成正相关,且这些缺陷的所在位置接近SiC外延层的表面。     

上海虹桥机场大气污染特征分析

通过将上海虹桥机场2016年大气污染物监测数据与该市国控站点数据对比分析,结果表明:机场附近首要污染物为NO_2和PM_(2.5),随着污染级别加重,PM_(2.5)成为首要污染物的频次增加。虹桥机场NO_2浓度均值在各季节均高于各国控站点,日变化呈"双峰双谷"特征,峰值出现时间较其他站点早1 h。冬季PM_(2.5)浓度高于国控站点,其他三季相当。冬季PM_(2.5)日变化具有明显的"双峰"特征,上午峰值出现时间较其他站点早一两小时,夏季不明显。O_3日变化表现为上午其生成速率和NO_2的消耗速率都要高于其他站点。