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仿真饰品与人体皮肤直接接触,其安全性与消费者健康密切相关。对我国制造的162个仿真饰品中的总铅、总镉、总汞、总砷、总铬和6价铬质量比进行了检测,采用四分位稳健统计法对6种有害元素的质量比进行了统计描述。利用本征矢量投影技术对试验数据进行降维处理,使样本点在新变量PC1、PC2空间的整体分布趋势及特征得到清晰表达,并对造成异常样品点的影响因素进行了分析。进一步因子分析结果表明,我国仿真饰品中有害元素的分布特征可基本确定为两个因子:Pb和Hg。因子分析的结果对解释影响样本点差异的实际变量方面更具实际意义,即仿真饰品样本点的异常值可归为两类:受Pb因子影响和受Hg因子影响。 相似文献
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GaN HEMT具有的大功率、高频率特性使其在空间应用中具有广阔的前景,GaN HEMT的空间辐射效应也引起了人们的广泛关注。然而GaN HEMT器件并没有完全体现出其材料优越的抗辐射能力,研究认为器件结构和制造工艺是导致器件和材料间抗辐射能力差距的主要原因之一。半导体制造工艺中通常采用钝化层进行隔离、保护以及调整反射率等来近一步提升器件性能,本文分析了钝化层对二维电子气(2DEG)和AlGaN/GaN异质结表面势垒高度的影响,讨论了不同钝化层结构GaN HEMT的辐射响应及退化机理,认为钝化层可有效改善GaN HEMT的抗辐射能力。 相似文献
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